化学气相沉积炉

卧式化学气相沉积炉主要用于以碳氢气体（如C3H8、CH4等）为碳源的材料表面或基体的CVD/CVI处理高温气相沉积设备主要用于关键器件表面涂层的制备，而温度是影响气相沉积涂层质量的关键参数，目前常规气相沉积设备的使用温度最高只有2000℃，本项目开发的气相沉积设备使用温度可达到2500℃

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卧式化学气相沉积炉主要用于以碳氢气体（如C3H8、CH4等）为碳源的材料表面或基体的CVD/CVI处理

高温气相沉积设备主要用于关键器件表面涂层的制备，而温度是影响气相沉积涂层质量的关键参数，目前常规气相沉积设备的使用温度最高只有2000℃，本项目开发的气相沉积设备使用温度可达到2500℃

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