碳化硅反应烧结炉是专门用于制备反应烧结碳化硅（RB-SiC）的高端热处理设备，通过硅熔渗（Silicon Infiltration）工艺，将多孔碳化硅素坯与熔融硅在高温下反应，形成高致密、高性能的SiC-Si复合材料。该设备广泛应用于半导体、航空航天等领域。
参数指标
参数指标
单位/型号
实验型
生产型
NTG-SJL-50W
NTG-SJL-90W
NTG-SJL-120W
NTG-SJL-165W
NTG-SJL-210W
NTG-SJL-276W
有效尺寸
mm
300×300×600
400×400×800
500×500×1200
600×600×1600
600×600×2000
750×750×2000
加热方式
/
石墨电阻
高温区容积
L
54
128
300
576
720
1125
装载量
g
装料区容积*产品密度（装料容积可根据用户需求定制）
功 率
KW
50
90
120
165
210
276
极限真空度
pa
冷态 5pa(真空度可根据客户需求定制)
工作温度
℃
1500℃
1500℃
1500℃
1500℃
1500℃
1500℃
最高温度
℃
1600℃
1600℃
1600℃
1600℃
1600℃
1600℃
恒温区温差
℃
±5℃
±5℃
±7℃
±7℃
±10℃
±10℃
炉内工作环境
/
真空状态或Ar.N2气氛保护（微正压）
可定制更大尺寸
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